JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 7

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

7 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
OP249GSZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1221	RFQ	Tube	Active	Подробности
ADA4622-2ARMZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8MSOP	2690	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD795JRZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	2000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD8643ARZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	1000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
LT1462CS8#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO	3753	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD712KRZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6321	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD648JRZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	2085	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8626ARMZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8MSOP	4196	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8626ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	2290	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD823ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	5647	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD712JNZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	5342	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD820ANZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	5863	RFQ	Tube	Active	Подробности

7 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.